|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА СВЕРХПРОВОДНИКА |  |
Номер публикации патента: 2172043 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/00 H01L039/24 | | Аналоги изобретения: | Савицкий и др. Сверхпроводящие материалы. "Кристаллизация двойного сверхпроводящего сплава олово-свинец в условиях микрогравитации". - М.: Наука, 1983, c.112. RU 2021226 C1, 15.10.1994. JP 06280018 A2, 04.10.1994. JP 01073778 A2, 20.03.1989. US 5286710, 15.02.1994. US 5004721, 02.04.1991. US 5300484, 05.04.1994. US 5399547, 21.03.1995. |
| Имя заявителя: | Институт ядерной физики Национального ядерного центра Республики Казахстан (KZ) | | Изобретатели: | Тулеушев Адил Жианшахович (KZ)
Тулеушев Юрий Жианшахович (KZ)
Володин Валерий Николаевич (KZ)
Ким Светлана Николаевна (KZ)
Лисицын Владимир Николаевич (KZ)
Асанов Александр Бикетович (KZ) | | Патентообладатели: | Институт ядерной физики Национального ядерного центра Республики Казахстан (KZ) | | Номер конвенционной заявки: | 990445.1 | | Страна приоритета: | KZ |
Реферат | |
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе. Предложен способ повышения критического тока сверхпроводника, например свинца, легированием его элементами. В качестве легирующих используют элементы, не взаимодействующие с основой сверхпроводника, например алюминий. Легирование осуществляют одновременным со сдвигом в пространстве распылением основы сверхпроводника и легирующего элемента в нанодисперсное состояние в плазме низкого давления и соосаждением их при температуре не выше 0,3 Тпл основы сверхпроводника при сохранении нанодисперсного состояния легирующего элемента в основе, причем соосаждение ведут слоями субатомного размера, поочередным повторяющимся пересечением потоков плазмы. В результате увеличивается эффективность процесса повышения критического тока сверхпроводника.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента