Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯТОРА НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, АКТИВИРОВАННОГО ТЕЛЛУРОМ

Номер публикации патента: 2170292

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000105377/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/48   C30B029/46    
Аналоги изобретения: UA 94030656 A1, 29.12.1994. RU 2056465 С1, 20.03.1996. RU 2051211 C1, 27.12.1995. RU 2031983 C1, 27.03.1995. SU 826769 A1, 30.12.1992. WO 95/34698 A1, 21.12.1995. DE 19502029 A1, 27.07.1995. EP 0744476 A3, 27.11.1996. 

Имя заявителя: Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины (UA) 
Изобретатели: Рыжиков Владимир Диомидович (UA)
Старжинский Николай Григорьевич (UA)
Гальчинецкий Леонид Павлович (UA)
Силин Виталий Иванович (UA) 
Патентообладатели: Научно-технологический центр радиационного приборостроения Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины (UA) 
Номер конвенционной заявки: 99084677 
Страна приоритета: UA 

Реферат


Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, детекторах ионизирующих излучений. Способ заключается в предварительной подготовке сырья, выращивании кристалла из расплава под давлением инертного газа и термообработку в насыщенных парах цинка, при этом в качестве сырья используют частицы размером 0,1-2 мм, механоактивированные путем дробления в кислородсодержащей среде предварительно выращенного кристалла селенида цинка, активированного теллуром с концентрацией его в кристалле 0,5-1,0 мас.%. Технический результат - кристаллы, выращенные с промежуточной стадией дробления по предлагаемому способу, имеют значения световыхода от 0,7 до 0,9 отн. ед. , уровень послесвечения составляет 0,04-0,05% через 2 мс, а время высвечивания 2,5-3 мкс; по способу-прототипу световыход составляет 0,6-1,0 отн. ед., уровень послесвечения - 0,05% через 2 мс, а время высвечивания 100 мкс. 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"