|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДИОД ГАННА (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2168801 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L047/02 | | Аналоги изобретения: | Диоды. Тиристоры. Оптоэлектронные приборы. Справочник по полупроводниковым приборам/Под ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1983, с. 493. RU 2086051 С1, 07.07.1997. RU 20542131 C1, 10.02.1996. RU 2064718 С1, 27.07.1996. EP 0954039 A1, 03.01.1999. JP 63240086 A, 05.10.1988. EP 0043654 A2, 13.01.1982. US 5311034 A, 10.05.1994. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | | Изобретатели: | Кожитов Л.В.
Кондратенко Т.Т.
Крапухин В.В.
Тимошина Г.Г.
Кондратенко Т.Я.
Крутогин Д.Г. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной техникe, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых сверхвысокочастотных (СВЧ) диодов Ганна, и может быть использовано в электронной и радиоэлектронной промышленности. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются повышение выходной мощности СВЧ-колебаний и снижение уровня электротепловой деградации. Сущность: в диоде Ганна металлический контакт катода выполнен в виде монокристаллического цилиндра из немагнитного металла с объемно-центрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100). На его внешней поверхности выращен первый вырожденный монокристаллический полупроводниковый n+-типа слой цилиндрической формы, на внешней поверхности которого последовательно сформированы имеющие цилиндрическую форму активный монокристаллический полупроводниковый n-типа слой и второй вырожденный монокристаллический полупроводниковый n+-типа слой. Поверх последнего нанесен металлический контакт анода в виде двух цилиндрических слоев заданной длины, выполненных из разных немагнитных металлов. Удельная электропроводность верхнего цилиндрического слоя металла в паре больше удельной электропроводности нижнего цилиндрического слоя металла по направлению протекания электрического тока. Предложены еще два варианта выполнения диода Ганна. 3 с. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента