|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОКРЫТИЕ КРИСТАЛЛА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ |  |
Номер публикации патента: 2164720 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L023/28 G06K019/073 | | Аналоги изобретения: | US 5399441 A, 21.03.1995. US 5233563 A, 03.08.1993. US 3725671 A, 04.04.1973. US 5406630 A, 11.04.1995. EP 0510433 A2, 28.10.1992. WO 91/0530 А1, 18.04.1991. RU 2024110 С1, 30.11.1994. |
| Имя заявителя: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Изобретатели: | Детлеф УДО (DE)
Йозеф КИРШБАУЕР (DE)
Кристл НИДЕРЛЕ (DE)
Петер ШТАМПКА (DE)
Ханс-Хиннерк ШТЕКХАН (DE) | | Патентообладатели: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Номер конвенционной заявки: | 19515188.7 | | Страна приоритета: | DE | | Патентный поверенный: | Емельянов Евгений Иванович |
Реферат | |
Использование: покрытия кристалла интегральной схемы электрических, электронных, оптоэлектронных и/или электромеханических компонентов. Сущность изобретения: в покрытии кристалла интегральной схемы предусмотрен активатор, при активировании которого выделяется вещество, которое в состоянии полностью или частично разрушить электрические, электронные, оптоэлектронные и/или электромеханические компоненты кристалла и который является активируемым при попытке удалить покрытие кристалла. Техническим результатом изобретения является надежное предотвращение посторонних анализов и/или манипулирований с кристаллом интегральной схемы. 1 с. и 15 з.п.ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента