Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Номер публикации патента: 2164267

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99120857/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34    
Аналоги изобретения: SU 1592414 A1, 15.09.1990. SU 1131259 A3, 30.01.1994. SU 1820638 A1, 27.10.1996. RU 2078154 C1, 27.04.1997. DE 2832150 A1, 22.02.1979. АНТОНОВ П.И. и др. Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова. - Л.: Наука, 1981, с.139. 

Имя заявителя: ЗАО "Сафитек" 
Изобретатели: Белоусенко А.П.
Колесов В.С.
Королев В.И.
Кравецкий Д.Я. 
Патентообладатели: ЗАО "Сафитек" 

Реферат


Изобретение относится к выращиванию кристаллов заданной формы из расплава, в частности кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоториевого граната и т.п., которые могут быть использованы в приборостроении, электронной и химической промышленности. Способ выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений из расплава на торце формообразователя осуществляют путем загрузки исходного сырья в тигель, вакуумирования системы до остаточного давления не более 1 · 10-5 мм рт. ст., отжиге в инертной атмосфере при 1550 - 1650°С, повторного вакуумирования системы до остаточного давления не более 1 · 10-3 мм рт. ст., подъема температуры в инертной атмосфере до расплавления исходного сырья, погружения формообразователя в расплав на 0,45 - 0,60 его высоты, запитывания расплавом капиллярной системы формообразователя, формирования на торце формообразователя пленки расплава с углом наклона боковых ее поверхностей 40 - 65° к продольной оси кристалла, создания контакта расплава с затравкой, прогрева и оплавления затравки, разращивания и вытягивания кристаллов при скорости 0,2 - 0,8 мм/мин при перегреве расплава относительно температуры его кристаллизации, отрыв кристалла при увеличении скорости роста в интервале 0,8 - 5 мм/мин и охлаждении выращенного кристалла. Технический результат - повышение выхода годных по оптическим характеристикам кристаллов. 4 з.п. ф-лы, 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"