На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ МИКРОПРОФИЛИРОВАНИЯ КОМПОЗИЦИИ "SiC - AlN"

Номер публикации патента: 2163409

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  2000119226/28		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: при изготовлении микромеханических приборов и микроэлектронных устройств из сэндвич-структуры "SiC-AlN" на подложке. Сущность изобретения: способ предусматривает плазмохимическое вытравливание с использованием маскирующего покрытия участков пленки SiC и последующее удаление участков слоя AlN для освобождения подвижных элементов целевого изделия. Все операции осуществляют в квазизамкнутой камере установки реактивного ионно-плазменного травления под действием ВЧ-магнетронного разряда с удельной мощностью 1,4 ± 4 Вт/см2, при этом в качестве материала для маскирующего покрытия используют алюминий, операцию вытравливания участков пленки SiC проводят при давлении 0,4 ± 0,2 Па в плазме газовой смеси SF6/O2, содержащей 15 ± 5 об.% O2, а операцию удаления участков слоя AlN проводят при давлении 0,5 ± 9,1 Па в плазме газовой смеси C2Cl3F3/O2, содержащей 5 ± 2 об.% O2. Соотношение давления в камере и удельной мощности ВЧ-разряда целесообразно регулировать с помощью следящей системы из расчета



где p - давление в квазизамкнутой камере, Па; wуд - удельная мощность магнетронного разряда, Вт/см2. Для получения конструкции на кремниевой подложке проводят заключительную операцию глубинного локального травления подложки в плазме газовой смеси SF6/O2, содержащей 12 ± 8 об.% O2, при давлении 0,6 ± 0,2 Па. Техническим результатом изобретения является повышение его технологичности за счет обеспечения возможности выполнения всех операций микропрофилирования на одной технологической установке по единой технологии. 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 2 ил.

Вернуться к списку