|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА |  |
Номер публикации патента: 2161347 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 H01L025/16 | | Аналоги изобретения: | ИОВДАЛЬСКИЙ В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. Электронная техника, сер.1, СВЧ-техника, вып.1 (467), 1996, с.34-39. EP 0334397 A, 27.09.1989. RU 2025822 C1, 30.12.1994. RU 2004036 C1, 30.11.1993. RU 2067363 C1, 27.09.1996. WO 94/01889 A1, 20.01.1994. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд (KR),Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.(RU) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко.
Лтд (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема содержит металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и по меньшей мере с одной монтажной площадкой, расположенной в углублении на лицевой стороне платы на теплоотводе.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента