|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ - ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2161346 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 H01L025/16 | | Аналоги изобретения: | Иовдальский В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. Электронная техника, сер.СВЧ-техника, вып.1(467), 1996, с.34-38. Электронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах. - М.: Радио и связь, 1985, с.261. RU 2004036 C1, 30.11.1993. RU 2025822 C1, 30.12.1994. EP 0334397 A3, 27.09.1989. RU 2067363 C1, 27.09.1996. WO 9401889 A1, 20.01.1994. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR),Иовдальский Виктор Анатольевич | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.
Молдованов Ю.И. | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко.
Лтд. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона глубина углублений в металлическом основании выбрана такой, что лицевая поверхность кристаллов и металлическое основание расположены в одной плоскости, диэлектрическая плата имеет экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне в местах, прилегающих к металлическому основанию, металлическое основание герметично и электрически соединено с экранной заземляющей металлиза
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента