|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОНОКРИСТАЛЛ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2160329 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B001/02 C30B029/36 | | Аналоги изобретения: | INOUE ZENZABURO et al. A SiC bicrystal junction on the (0001) plane. "J.Mater,Sci", 1981, 16. N 8, 2297-2302. SU 327779 A, 04.06.1973. JP 6114678 A, 04.07.1986. EP 0604016 A1, 29.06.1994. US 4339301 A, 13.07.1982. EP 0716166 A1, 12.06.1996. |
| Имя заявителя: | НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО., ЛТД (JP) | | Изобретатели: | ТАНИНО Китийя (JP) | | Патентообладатели: | НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО.
ЛТД (JP) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Выращен комплекс (M), который выполнен укладыванием в стопку поликристаллической -SiC пластины на поверхности монокристаллического -SiC базового материала с плотным контактом через отполированную поверхность или получен путем химического парового осаждения, затем подвергнут тепловой обработке при температуре в диапазоне от 1850 до 2400oC, посредством чего поликристаллы поликристаллической кубической -SiC пластины трансформиро
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента