Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОНОКРИСТАЛЛ SiC И СПОСОБЫ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2160328

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99105847/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B001/02   C30B029/36    
Аналоги изобретения: INOUE ZENZABURO et al. A SiС biorystal junction on the (0001) plane. "J.Mater. Sci," 1981, 16, N 8, 2297-2302. SU 327779 A, 04.06.1973. JP 61146781 A, 04.07.1986. EP 0604016 A1, 29.06.1994. US 4339301 A, 13.07.1982. EP 0716166 A1, 12.06.1996. 

Имя заявителя: НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО., ЛТД (JP) 
Изобретатели: ТАНИНО Китийя (JP) 
Патентообладатели: НИППОН ПИЛЛАР ПЭКИНГ КО.
ЛТД (JP) 

Реферат


Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности при производстве диодов, усилителей и оптических элементов.Комплекс (M), который выполнен посредством выращивания поликристаллической -SiC пластины, имеющей толщину около 10 мкм или более, на поверхности монокристаллического -SiC базового материала посредством напыления высококачественным магнетроном или термохимическим паровым осаждением подвергнут тепловой обработке при температуре в пределах от 1650 до 2400oC, благодаря чем


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"