

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2160327

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	98120936/12

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C30B001/02 C30B029/36 C30B025/02
Аналоги изобретения:	1. JP 61-21196 A, 26.05.1986. 2. SU 327779 A, 04.06.1973. 3. JP 59203799 A, 17.11.1984. 4. MATSUNAMI HIROYUKI et al. Epitaxial growth of

Имя заявителя:	Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд. (JP)
Изобретатели:	Танино Кития (JP) Хирамото Масанобу (JP)
Патентообладатели:	Ниппон Пиллар Пэкинг Ко. Лтд. (JP)

Реферат

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для производства светодиодов, оптических элементов и т.д. Поверхность монокристаллической -SiC подложки 1 обрабатывается так, чтобы иметь шероховатость поверхности, равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение , и предпочтительно равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение .

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"