|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО НИТРИДА АЛЮМИНИЯ И РОСТОВАЯ КАМЕРА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА |  |
Номер публикации патента: 2158789 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B023/00 C30B029/38 | | Аналоги изобретения: | BALKAS C.M. et. al. Growth of bulk AlN and GaN single crystals by sublimation. Materials Research Society Symposium Proccedings. Vol.449, 1997. К.Т.ВИЛЬКЕ. Методы выращивания кристаллов. - Л.: Недра, 1968, с.303-306. RU 2097452 C1, 27.11.1997. JP 3-51677 B, 07.08.1991. JP 3-53277 B, 14.08.1991. |
| Имя заявителя: | Водаков Юрий Александрович,Карпов Сергей Юрьевич,Макаров Юрий Николаевич,Мохов Евгений Николаевич,Рамм Марк Григорьевич,Роенков Александр Дмитриевич,Сегаль Александр Соломонович | | Изобретатели: | Водаков Ю.А.
Карпов С.Ю.
Макаров Ю.Н.
Мохов Е.Н.
Рамм М.Г.
Роенков А.Д.
Сегаль А.С. | | Патентообладатели: | Водаков Юрий Александрович
Карпов Сергей Юрьевич
Макаров Юрий Николаевич
Мохов Евгений Николаевич
Рамм Марк Григорьевич
Роенков Александр Дмитриевич
Сегаль Александр Соломонович |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано при производстве полупроводников для электронной промышленности. Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия из смеси азота и паров алюминия включает размещение в ростовой камере (3) друг напротив друга подложки (4) и источника (5) алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур источника (5) и подложки (4), обеспечивающих, соответственно, образование паров алюминия в составе смеси и рост монокристалла нитрида алюминия на подложке
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента