|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА |  |
Номер публикации патента: 2156327 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/34 C30B015/00 | | Аналоги изобретения: | SHIMAMURA K.ET. AL. "GROWTH AND Characterization of Lanthanum Gallium Silicate La |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "ФОМОС-ТЕХНОЛОДЖИ" | | Изобретатели: | Бузанов О.А.
Аленков В.В.
Гриценко А.Б. | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "ФОМОС-ТЕХНОЛОДЖИ" |
Реферат | |
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений. Способ позволяет получить монокристаллы диаметром не менее 80 мм и массой более 2,0 кг. Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского включает загрузку в тигель предварительно синтезированного материала, соответствующего составу La3Ga5SiO14, и создание защитной атмосферы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента