Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА

Номер публикации патента: 2156327

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98113240/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/34   C30B015/00    
Аналоги изобретения: SHIMAMURA K.ET. AL. "GROWTH AND Characterization of Lanthanum Gallium Silicate La 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью "ФОМОС-ТЕХНОЛОДЖИ" 
Изобретатели: Бузанов О.А.
Аленков В.В.
Гриценко А.Б. 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью "ФОМОС-ТЕХНОЛОДЖИ" 

Реферат


Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений. Способ позволяет получить монокристаллы диаметром не менее 80 мм и массой более 2,0 кг. Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского включает загрузку в тигель предварительно синтезированного материала, соответствующего составу La3Ga5SiO14, и создание защитной атмосферы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"