|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА |  |
Номер публикации патента: 2156326 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B029/22 C30B015/00 C01G015/00 | | Аналоги изобретения: | SU 1506951 A1, 07.12.1998. RU 96118840 A1, 10.12.1998. RU 2108418 C1, 10.04.1998. WO 91/16477 A1, 13.10.1991.Миль Б.В. и др. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "ФОМОС-ТЕХНОЛОДЖИ" | | Изобретатели: | Кознов Г.Г. | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "ФОМОС-ТЕХНОЛОДЖИ" |
Реферат | |
Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката (ЛГС). Техническим результатом является получение шихты для выращивания ЛГС стехиометрического состава, для пьезо- и лазерной техники. Для получения шихты в качестве исходных компонент используют оксиды лантана и кремния и металлический галлий.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента