Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2154324

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99109287/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L033/00    
Аналоги изобретения: WO 98/40916 A1, 17.09.1998. БЕРГ А., ДИН П. Светодиоды. - М.: Мир, 1979, с. 578. RU 2025833 C1, 30.12.1994. SU 1732402 A1, 07.05.1992. 

Имя заявителя: Матвеев Борис Анатольевич 
Изобретатели: Матвеев Б.А.
Зотова Н.В.
Ильинская Н.Д.
Карандашев С.А.
Ременный М.А.
Стусь Н.М.
Талалакин Г.Н. 
Патентообладатели: Матвеев Борис Анатольевич 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, системах связи. Техническим результатом изобретения является расширение диапазона излучения источника при повышенных температурах. Сущность изобретения: по первому варианту, в источник инфракрасного излучения, содержащий активную область из материала А3В5 и/или его твердых растворов с заданной шириной запрещенной зоны и р-n переход, введена по меньшей мере одна дополнител


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"