Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР

Номер публикации патента: 2153745

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99105604/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S005/024   H01S005/32    
Аналоги изобретения: RU 2119704 С1, 27.09.1998. US 4860296 А, 22.08.1989. US 5406575 А, 11.04.1995. WO 99/08352, 18.02.1999. DE 19515704 А, 28.04.1995. 

Имя заявителя: Безотосный Виктор Владимирович 
Изобретатели: Безотосный В.В.
Залевский И.Д. 
Патентообладатели: Безотосный Виктор Владимирович
Залевский Игорь Дмитриевич 

Реферат


Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Предложена конструкция лазера, в которой теплоотводы присоединены к кристаллу с двух сторон, причем теплоотвод со стороны подложки локально либо полностью примыкает непосредственно к эпитаксиальным слоям гетероструктуры, кроме того, теплоотводы могут выступать относительно выходного зеркала лазерного резонатора вдоль оси резонатора по направлению выхода излучения, грани теплоотводов между выступающими краями теплоотводов и выходным зеркалом лазера могут быть выполнены наклонными относительно оси резонатора, они могут быть выполнены в виде плоских, сферических или асферических зеркал. Технический результат: повышение мощности излучения лазера в непрерывном режиме или средней мощности в импульсном режиме генерации, а также повышение срока службы за счет повышения эффективности отвода тепла от активной области лазера и выходного зеркала лазерного резонатора. Предложенный полупроводниковый лазер может найти применение в качестве источника излучения высокой мощности в технологии, медицине, системах накачки твердотельных лазеров, системах связи, навигации, датчиках. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"