|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ВЫСОКОЙ СТЕПЕНЬЮ ИНТЕГРАЦИИ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА |  |
Номер публикации патента: 2153210 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/115 H01L021/8247 | | Аналоги изобретения: | US 5414287 А, 09.05.1995. EP 0675547 А1, 04.10.1995. US 5557122 А, 17.09.1996. US 5429960 А, 04.07.1995. EP 0379209 А3, 25.07.1990. SU 1487759 А1, 27.10.1985. |
| Имя заявителя: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Изобретатели: | Кербер Мартин (DE) | | Патентообладатели: | СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ (DE) | | Номер конвенционной заявки: | 19600307.5 | | Страна приоритета: | DE |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с выполненной в виде колонны ячейкой стираемой программируемой постоянной памяти с плавающим затвором и управляющим затвором и к способу для его изготовления. При этом ячейка стираемой программируемой постоянной памяти выполнена настолько тонкой, что она полностью обеднена. Управляющий затвор используемой ячейки стираемой программируемой постоянной флэш-памяти с разделенным затвором или ячейки стираемой программируемой постоянной флэш-памяти с двойным затвором состоит из p+-легированного полупроводникового материала, так что полностью обедненные цилиндры позволяют ожидать очень хорошее предпороговое поведение. Технический результат изобретения заключается в создании запоминающего устройства с повышенной надежностью при сублитографических его размерах. 2 с. и 8 з.п.ф-лы, 12 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента