|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЖНЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ГАЛЛИЙСОДЕРЖАЩИХ ОКСИДОВ |  |
Номер публикации патента: 2152462 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B029/22 | | Аналоги изобретения: | KIYOSHI SHIMAMURU et.al. Growth and characterization of lanthanum gallium silicate La<SB POS="POST">3</SB>Ga<SB POS="POST">3</SB>SiO<SB POS="POST">14</SB> single crystals for piesoelectric applications "J.of Crystal Growth", 1996, v. 163, pp.388-392. SU 1354791 A1, 15.01.92. SU 1220394 A, 15.01.92. SU 1228526 A1, 15.02.93. RU 2108418 C1, 10.04.98. Миль Б.В. и др. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ga<SB POS="POST">3</SB>Ga<SB POS="POST">2</SB>Ge<SB POS="POST">4</SB>O<SB POS="POST">14</SB> "Доклады АН СССР", 1982, т.264, N 6, с.1385-1389. |
| Имя заявителя: | РАФИДА ДЕВЕЛОПМЕНТС ИНКОРПОРЕЙТЕД (GB) | | Изобретатели: | Бузанов О.А.(RU) | | Патентообладатели: | РАФИДА ДЕВЕЛОПМЕНТС ИНКОРПОРЕЙТЕД (GB) |
Реферат | |
Способ предназначен для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, обладающих пьезоэлектрическим эффектом. Техническим результатом изобретения является получение кристаллов, из которых впоследствии вырезают пластины с минимальными потерями материала. Сущность способа состоит в использовании в качестве материала расплава соединения La3Ga5,5Me0,5O14, Ме-тантал либо ниобий. Выращивание кристаллов проводят методом Чохральского на ориентированную затравку. 1 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента