|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ |  |
Номер публикации патента: 2151445 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | САНГВАЛ К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение, перевод с англ. - М.: Мир. 1990, с. 392 - 403. МИЛЬВИДСКИЙ М.Г., ЛАЙНЕР Л.В. К методике выявления дислокации в монокристаллах кремния. Заводская лаборатория. 1962, т. 28, N 4, с. 459 - 462. ЗАЙЦЕВ А.А. и др. Рентгенодифракционные методы контроля структур кремния на сапфире. Электронная техника. Сер. 2. 1986, вып. 5(189), с. 40 - 43. RU 2033660 C1, 20.04.1995. GB 2244327 A, 27.11.1991. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К.
Кормишина Ж.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: для анализа структурных дефектов в кристаллах на различных этапах изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: производят деформирование кристалла приложением к нему механической нагрузки, затем производят химическое травление в избирательно действующем на дефекты растворе, кристалл до травления деформируют путем обработки его в химически неактивной жидкости ультразвуком с частотой 20-40 кГц в течение 10-30 мин. Технический результат изобретения - повышение чувствительности избирательного химического травления к структурным дефектам в монокристаллах. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента