Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

Номер публикации патента: 2151422

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98111305/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G06F012/16   G06F012/14   G06F012/00   H01L027/22   H01L027/00    
Аналоги изобретения: RU 2055391 C1, 27.06.96. RU 2106687 C1, 10.03.98. RU 95104292 A1, 20.08.96. RU 2067313 C1, 27.09.86. WO 89/12864 A1, 28.12.89. 

Имя заявителя: Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского 
Изобретатели: Семенов А.А.
Вениг С.Б.
Усанов Д.А. 
Патентообладатели: Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Закрытое акционерное общество Саратовский научно-технологический парк "Волга" 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронной технике и предназначено для применения как в аналоговых, так и в цифровых микроэлектронных устройствах. Техническим результатом является защита микроэлектронного устройства от несанкционированного исследования функциональных характеристик с целью последующего копирования или эмуляции. Технический результат достигается за счет введения в схему защиты от несанкционированного доступа или копирования микроэлектронного устройства внешнего постоянного источника магнитного поля. Схема защиты состоит из магниточувствительного элемента с подключенной к нему схемой обработки сигнала, к которой подсоединен управляемый буферный каскад для изменения функциональных характеристик устройства в зависимости от уровня магнитного поля, задаваемого источником, электрически включенный между выходом функциональной схемы и внешним выводом устройства, причем магниточувствительный элемент расположен в зоне действия источника магнитного поля, а последний размещен в устройстве визуально скрытым. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"