|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗВЛЕЧЕНИЯ КРИПТОНА И КСЕНОНА ИЗ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СБРОСНЫХ ГАЗОВ |  |
Номер публикации патента: 2150758 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G21F009/02 | | Аналоги изобретения: | SU 1003682 A1, 20.02.98. SU 1746828 A1, 15.07.94. US 4482479 A, 13.11.84. DE 3039604 A1, 19.05.82. US 3887339 A, 03.06.75. DE 2536874 B2, 20.04.78. GB 1602648 A, 11.11.81. GB 2089102 A, 16.06.82. |
| Имя заявителя: | Олейник Алла Викторовна | | Изобретатели: | Олейник А.В.
Олейник В.С.
Седов В.П. | | Патентообладатели: | Олейник Алла Викторовна
Седов Виктор Петрович
Олейник Василий Семенович
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области обработки газообразных отходов, а именно к процессам выделения криптона, в том числе радиоактивного, и ксенона из газовых отходов. Заявляемый способ позволяет выделять конечные продукты - криптон и ксенон - с высокой степенью чистоты в непрерывном режиме. Технологически сбросные газы, содержащие криптон и ксенон, предварительно пропускают через аппарат газлифтного типа. В этот аппарат подают подходящий абсорбент и поддерживают температуру ниже температуры кипения более высококипящего извлекаемого компонента, но выше температуры кипения воздуха и другого компонента. Далее следует стадия ультразвуковой обработки от воздуха и другого компонента, причем температуру поддерживают выше температуры кипения другого компонента и воздуха, но ниже температуры кипения извлекаемого компонента. Затем абсорбент, обогащенный извлекаемым компонентом, направляют на другую ультразвуковую обработку, которую проводят при температуре выше температуры кипения извлекаемого компонента, но ниже температуры кипения абсорбента. Извлекаемый компонент отбирают в газовой фазе, а абсорбент возвращают в цикл. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента