|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ - ДИАПАЗОНА |  |
Номер публикации патента: 2148873 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/02 H01L025/16 | | Аналоги изобретения: | GB 2129223 A, 10.05.84. Иовдальский В.А. и др. Улучшение тепловых характеристик ГИС. - Электронная техника. Сер.1, вып.1 (467), 1996, с.34 - 39. SU 1812580 A1, 30.04.1993. US 4267520 A, 12.05.1981. EP 0078582 A3, 11.05.1983. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Иовдальский В.А.(RU)
Айзенберг Э.В.(RU)
Бейль В.И.(RU)
Лопин М.И.(RU) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR)
Иовдальский Виктор Анатольевич (RU) |
Реферат | |
Использование: электронная техника, полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы, экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне и отверстием и металлическое основание с выступом. Отверстие в плате имеет сужение на высоте 1 - 300 мкм от лицевой поверхности платы. Выступ расположен в широкой части отверстия. Контактные площадки кристалла, подлежащие заземлению, соединены с выступом через сужение отверстия, которое заполнено электро- и теплопроводящим материалом. Размер широкой части отверстия равен от 0,2 х 0,2 мм до размера кристалла, а расстояние между боковыми стенками выступа и боковыми стенками широкой части отверстия равно 0,001 - 1,0 мм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и теплорассеивающих характеристик, расширение частотного диапазона работы схемы и снижение трудоемкости изготовления. 2 з.п.ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента