|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИСТОЧНИК АТОМАРНОГО ВОДОРОДА ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО - ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ |  |
Номер публикации патента: 2148871 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/203 | | Аналоги изобретения: | US 5693173 A, 02.12.1997. JP 02248035 A, 03.10.1990. JP 01224295 A, 07.02.1989. SU 819857 A, 15.04.1981. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Сидоров Ю.Г.
Либерман В.И.
Придачин Д.Н.
Анциферов А.П. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая техника, в молекулярно-лучевой эпитаксии для предэпитаксиальной подготовки подложек, а также в процессе выращивания эпитаксиальных слоев. Сущность изобретения: источник атомарного водорода содержит две концентрические трубы, средства подачи в источник газа, соединенные с внутренней трубой, расщепитель, служащий для термического разложения молекул газа, средства, обеспечивающие подведение электрического питания к этому расщепителю. Расщепитель выполнен из тонкой вольфрамовой фольги. Со стороны входного конца он имеет форму трубки, входной конец которой надет на наконечник внутренней трубы. Выходные концы полос, изогнутых в виде петель, продолжаются с внешней стороны трубки-расщепителя в сторону входного ее конца и соединяются с внешней трубой. Внутренняя и внешняя концентрические трубы являются электрическими контактами, обеспечивающими подвод электропитания к расщепителю. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности взаимодействия потока газа с расщепителем, исключение участка с пониженной температурой на выходном конце расщепителя и исключение столкновений молекул газа с элементами, имеющими более низкую температуру, чем расщепитель. 2 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента