|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ЭКСПОНИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ ФОТОРЕЗИСТА |  |
Номер публикации патента: 2148854 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G03F007/26 H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | Валиев К.А. и др. Фотолитографический процесс с использованием газофазной химической модификации фоторезистов. Труды ФТИАН, 1992, с.4. EP 0451329 A2, 16.10.1991. US 5409538 A, 25.04.1995. EP 0502533 A2, 09.09.1992. Введение в фотолитографию/ Под ред.В.П.Лаврищева, - М.: Энергия, 1977, с.400. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет | | Изобретатели: | Урывский Ю.И.
Чуриков А.А. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный университет |
Реферат | |
Использование: контрольно-измерительная техника технологических процессов производства изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста осуществляется путем измерения параметров поляризованного монохроматического света при отражении его от полупроводниковой пластины с пленкой фоторезиста, по которым в процессе экспонирования определяют изменения эффективного значения показателя преломления экспонируемой пленки, а затем соответственно этим изменениям находят изменения глубины экспонированного слоя пленки фоторезиста из выражения
где d - толщина исходной пленки фоторезиста; dэ - глубина экспонированного слоя пленки фоторезиста; nпл - показатель преломления исходной фоторезистной пленки; nэ - показатель преломления полностью проэкспонированной фоторезистной пленки; nэф - меняющееся в процессе экспонирования эффективное значение показателя преломления фоторезистной пленки, и при достижении заданной величины dэ прекращают процесс экспонирования. Рабочую длину волны поляризованного света выбирают равной λ = 546,1 нм. Техническим результатом изобретения является создание неразрушающего способа точного определения глубины экспонирования пленки фоторезиста. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента