На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА

Номер публикации патента: 2146842

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  99109622		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов. Для упрощения технологических процессов при изготовлении полупроводникового светоизлучающего элемента при обеспечения его долговечности и снижении себестоимости в известном способе изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента, включающем выращивание на полупроводниковой подложке эпитаксиальной структуры, нанесение на структуру маски, травление в маске окна, проведение диффузии легирующих примесей в структуру через окно в маске, снятие маски, нанесение контактов, скалывание пластин на кристаллы, посадку кристалла на теплоотвод, в качестве маски на эпитаксиальную структуру наносят дополнительный полупроводниковый слой из материала, обладающего способностью к селективному травлению, толщиной, определяемой из условия d₂>d₁·(v₂/v₁), где d₁ - суммарная толщина эпитаксиальных слоев, через которые необходимо провести диффузию легирующих примесей; d₂ - толщина дополнительного полупроводникового слоя; v₁ - средняя скорость диффузии легирующих примесей в эпитаксиальных слоях структуры; v₂ - средняя скорость диффузии легирующих примесей в дополнительном полупроводниковом слое.

Вернуться к списку