Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОНОКРИСТАЛЛЫ ВОЛЬФРАМАТА СВИНЦА

Номер публикации патента: 2145648

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98107344 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/32    
Аналоги изобретения: ARORA S.K. et. al. Flux growth and electrical properties of PbWO<SB>4</SB> crystals "Y. Crystal Growth", 1982, 57 N 2, p.452 - 455. RU 2059026 C1, 27.04.1996. JP 09278594 A, 28.10.1997. JP 08337469 A, 24.12.1996. KOBAYASHI M. et. al. Scintillation characteristics of PbWO<SB>4</SB> single crystals at room temperature "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research " A 333 (1993) p.429 - 433. 

Имя заявителя: Фурукава Ко., Лтд (JP) 
Изобретатели: Йосиюки Усуки (JP) 
Патентообладатели: Фурукава Ко., Лтд (JP) 
Номер конвенционной заявки: 9-104,633 
Страна приоритета: JP 

Реферат


Монокристаллы вольфрамата свинца, полученные путем использования триоксида вольфрама и диоксида свинца или вольфрамата свинца, в котором лантан содержится в количестве от 3 x 10-7 моля до 10 x 10-3 моля на один моль вольфрамата свинца. Можно получить монокристаллы вольфрамата свинца. Техническим результатом является получение кристаллов, которые применимы в качестве сцинтиллятора для детектора излучения, способного повысить количество используемого света путем увеличения коэффициента пропускания света и уменьшения самопоглощения. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"