Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО

Номер публикации патента: 2143015

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99107242 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/34    
Аналоги изобретения: RU 2108418 C1, 10.04.98. RU 2108417 C1, 10.04.98. RU 96118840 A1, 10.12.98. SU 1506951 A1, 07.12.92. WO 91/16477 A1, 31.10.91. Миль Б.В. и др. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca<SB>3</SB>Ga<SB>2</SB>Ge<SB>4</SB>O<SB>12</SB>. O.A.Busanov et al. A new approach to the qrowth of Langasite crrystals, 1996, IEEE, p.131 - 136. 

Имя заявителя: Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья 
Изобретатели: Дороговин Б.А.
Степанов С.Ю.
Цеглеев А.А.
Лаптева Г.А.
Дубовский А.Б.
Горохов В.П.
Царева Н.Б.
Курочкин В.И.
Миронова В.В.
Филиппов И.М. 
Патентообладатели: Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья 

Реферат


Изобретение относится к выращиванию монокристаллов лантангаллиевого силиката, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Шихту лангасита синтезируют твердофазным синтезом, помещают в иридиевый тигель, установленный в тепловой узел ростовой установки "Кристалл-3М". В контакт с поверхностью расплава вводится вращающийся затравочный кристалл, ориентированный в направлении 54o у оси Y. Выращивание ведут в защитной атмосфере с частотой вращения кристаллодержателя 1-7 об/мин; осевой градиент - 1-15oС/см. Послеростовой отжиг кристалла ведут со скоростью охлаждения 15°С/ч в течение 40 ч и со скоростью 25°С/ч в течение 24 ч. Способ позволяет получать качественные кристаллы, оптимально пригодные для последующего изготовления кристаллических элементов фильтров на поверхностных акустических волнах. Распиловка выращенных буль лангасита ведется перпендикулярно оси роста, что позволяет снизить себестоимость кристаллических дисков. 1 табл., 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"