|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕПЛОВОЙ ЭЛЕМЕНТ |  |
Номер публикации патента: 2141649 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/14 G01J003/10 | | Аналоги изобретения: | SU 1805372 A1, 30.03.93. DE 3705831 A1, 11.02.88. C.L.Johnson et al. A Thin-Film Gas Detector For Semiconductor Proctss Gases Digest Inf. Conf IEDM 88, p. 662 - 665. RU 2054664 C1, 20.02.96. WO 83/03001 A1, 01.09.83. SU 550538 A, 15.07.77. |
| Имя заявителя: | Березкин Валерий Алексеевич | | Изобретатели: | Березкин В.А.
Дмитриев В.К.
Качуровский Ю.Г.
Шкуропат И.Г. | | Патентообладатели: | Березкин Валерий Алексеевич
Дмитриев Виталий Константинович
Качуровский Юрий Григорьевич
Шкуропат Иван Георгиевич |
Реферат | |
Использование: в качестве нагревателя интегрального полупроводникового газового датчика, инфракрасного излучателя адсорбционного оптического газоанализатора, активатора печатающей головки струйного принтера. Технический результат - повышение надежности и долговечности теплового элемента. Сущность: наносят тонкий слой монокристаллического кремния на многослойную диэлектрическую тонкопленочную мембрану, на незащищенную поверхность кремниевого слоя наносят многослойную диэлектрическую пленку, причем слои этой пленки идентичны слоям мембраны и расположены зеркально симметрично относительно слоя кремния, в качестве пленки используют комбинацию слоев диэлектриков SiO2 и Si3N4 с соотношением толщин (3,5 - 2,7):1,0, слой SiO2 прилегает к слою кремния. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента