|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2141149 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/8248 | | Аналоги изобретения: | US 5455189 A, 03.10.95. EP 0325342 A2, 26.07.89. RU 2106039 A1, 27.02.98. RU 2106719 A1, 10.03.98. WO 9826451 A1, 18.06.98. DE 4139490 A1, 07.01.93. EP 0694963 A2, 31.01.96. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Лукасевич М.И.
Горнев Е.С.
Морозов В.Ф.
Трунов С.В.
Игнатов П.В.
Шевченко А.П. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология БиКМОП ИС, в которой на одном кристалле формируются n-канальные и р-канальные полевые и npn биполярные транзисторы. Предлагаемый способ изготовления БиКМОП структуры обеспечивает получение высоких параметров npn биполярного и полевых транзисторов и одновременно существенно сокращает маршрут изготовления структуры. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП-структуры формирование эмиттерного электрода из второго слоя поликремния производят с перекрытием окна под эмиттер в первом слое поликремния и подзатворном диэлектрике на величину погрешности при литографии. Легирование областей стока и истока n-канального полевого транзистора выполняют примесью второго типа проводимости с меньшей длиной пробега при имплантации, проводят первый отжиг при высокой температуре, а легирование областей стоков и истоков р- канального полевого транзистора, пассивной базы и эмиттера биполярного транзистора - примесью первого типа проводимости с большей длиной пробега при имплантации и выполняют второй отжиг при температуре ниже первой. Техническим результатом изобретения является повышение качества структуры - сохранение высокой эффективности и усиление транзистора в сокращенном маршруте, предусматривающем экономию операций маскирования при определенной последовательности проведения отжигов имплантированных примесей. Кроме того, создание возможности независимого формирования параметров глубокого коллектора и области локального коллектора под эмиттером биполярного транзистора. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента