На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП ПРИБОРА

Номер публикации патента: 2141148

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  98112952		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, а именно технология БиКМОП приборов, у которых на одном кристалле формируются комплиментарные биполярные и полевые транзисторы. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП прибора за счет того, что оставляют первый слой поликремния и подзатворный окисел в карманах полевых транзисторов с перекрытием слоем поликремния полевого окисла на величину, равную погрешности при литографии, в кармане первого биполярного транзистора в месте расположения окна под эмиттер с перекрытием поликремнием окна на величину, равную погрешности при литографии, и в кармане второго биполярного транзистора, за исключением места расположения эмиттера. При легировании второго слоя поликремния, кроме того, легируют место расположения базового электрода первого биполярного транзистора. До формирования электродов из третьего слоя поликремния легируют третий слой поликремния вначале примесью второго типа проводимости над областями стоков и истоков n-канального полевого и коллекторного электрода второго биполярного транзисторов, проводят первый отжиг при высокой температуре, затем легируют третий слой поликремния примесью первого типа проводимости над областями стоков и истоков р - канального полевого транзистора, эмиттерного и коллекторного электродов первого биполярного и базового электрода второго биполярного транзисторов, проводят второй отжиг при температуре ниже температуры первого отжига, а затем формируют электроды из третьего слоя поликремния к областям стоков и истоков полевых транзисторов, к области эмиттера и коллектора первого биполярного и к области пассивной базы и коллектора второго биполярного транзисторов, осаждают второй силицидный и второй изолирующий слои. Техническим результатом изобретения является повышение степени интеграции, быстродействия и процента выхода годных БиКМОП прибора за счет совершенствования способа формирования электродов к стоку и истоку полевых транзисторов и электрода эмиттера из третьего слоя поликремния, уменьшающих емкости переходов и величину сопротивления базы, и исключения воздействия плазмы на поверхность кремния в активных областях транзисторов. 10 ил.

Вернуться к списку