Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ПРИВОДИМАЯ В ДЕЙСТВИЕ ЗЕРКАЛЬНАЯ МАТРИЦА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2140722

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 96110182 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H04N009/31   H04N005/74   G02B026/08   G02F001/29   G09F019/16   G09F019/18    
Аналоги изобретения: JP 60021002 A, 02.02.85. US 5085497 A, 04.02.92. JP 5701781 A, 26.01.82. JP 57052021 A, 27.03.82. EP 0550022 A2, 23.12.92. Лабунов В.А. и др. Ионно-лучевые источники для обработки поверхности твердых тел и получения тонких пленок. Зарубежная электронная техника. - М.: Министерство электронной промышленности, 1982, с.9-14. 

Имя заявителя: Дэу Электроникс Ко., Лтд. (KR) 
Изобретатели: Джеонг-Беом Джи (KR)
Донг-Кук Ким (KR)
Сеок-Вон Ли (KR) 
Патентообладатели: Дэу Электроникс Ко., Лтд. (KR) 
Номер конвенционной заявки: 93-22798 
Страна приоритета: KR 

Реферат


Предоставляется матрица из M x N тонкопленочных приводимых в действие зеркал для использования в оптической проекционной системе. Технический результат изобретения заключается в создании способа изготовления матрицы приводимых в действие зеркал, который обеспечивает высокую повторяемость и надежность путем использования тонкопленочной технологии. Матрица содержит матрицу из M x N тонкопленочных приводных структур. Каждая из тонкопленочных приводных структур включает один тонкопленочный слой индуцирующего перемещение материала, два электрода. Каждый из электродов расположен на верхней и нижней соответственно поверхностях тонкопленочного индуцирующего перемещение слоя. Матрица включает M x N поддерживающих элементов. Каждый из поддерживающих элементов используется для фиксации соответствующей из приводных структур. Матрица из M x N зеркал предназначена для отражения световых лучей. Каждое из зеркал расположено на верхней поверхности соответствующей из приводных структур. Электрическое поле прикладывается к тонкопленочному слою индуцирующего перемещение материала, расположенному между парой электродов в соответствующей из приводных структур. При этом вызывается деформация, которая будет в свою очередь деформировать зеркало, расположенное на верхней поверхности материала. 4 с. и 29 з.п. ф-лы, 19 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"