|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЯГКОЙ ДИАФРАГМЫ |  |
Номер публикации патента: 2140695 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/10 G02B027/58 | | Аналоги изобретения: | Rizvin, Rodkiso, Damson C., Apodiser development. Annual report to the Laser Facility Committee, RAL -87-041, pp.113 - 114, 1987. Полетимов А.Е. и др. Апозидирующие апертуры для лазеров видимого и ИК-диапазонов. Квантовая электроника, N 10, т.19, с.997 - 1000. SU 1098409 A, 24.01.83. Лукишова С.Г. и др. Исследование мягкой диафрагмы на основе фотоокисления редкоземельной примеси во флюорите. Квантовая электроника, т.2, N 21, c.126 - 128. |
| Имя заявителя: | Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН | | Изобретатели: | Зубарев И.Г.
Пятахин М.В.
Сенатский Ю.В. | | Патентообладатели: | Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к лазерной аподизирующей оптике и может быть использовано при работе с твердотельными и газовыми лазерами, применяемыми в лазерной технологии, научных исследованиях, лазерных установках, разрабатываемых по программе лазерного термоядерного синтеза. Способ формирования мягкой диафрагмы на основе прозрачной диэлектрической пластины для аподизации световых пучков в ближнем ультрафиолетовом, видимом или ближнем инфракрасном диапазонах длин волн λ заключается в том, что в апертуре диэлектрической пластины с характерным размером ro, поперечной координатой r и толщиной l создают рассеивающую, отражающую или поглощающую излучение зону шириной &Dgr;r, состоящую из дискретных ячеек с контролируемыми формой и размерами &Dgr;rc, расположенных на поверхности или в объеме пластины в соответствии с заданным профилем пропускания диафрагмы T(r). При этом суммарное удельное эффективное поперечное сечение этих ячеек, определяющее диссипацию энергии излучения, нарастает от оси к краю пластины по закону σ(r) ~ I-T(r), а размеры отдельных ячеек связаны с глубиной обработки диэлектрической пластины &Dgr;l и с расстоянием Lmin до границы области формирования гладкого распределения интенсивности в пучке. Технический результат изобретения состоит в повышении эффективности процесса изготовления мягких апертур с требуемыми оптическими параметрами. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента