На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ЙОДИДА ЦЕЗИЯ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | |
Номер публикации патента: 2138585 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | C30B029/12 C30B011/00 C30B015/00 | Аналоги изобретения: | SU 1362088 C1, 1994. SU 108078 A, 1957. SU 823475 A, 1981. SU 1619755 A1, 1989. DE 4443001 A1, 1995. |
Имя заявителя: | СП "Амкрис-Эйч, Лтд." (UA) | Изобретатели: | Виноград Эдуард Львович (UA) Горилецкий Валентин Иванович (UA) Ковалева Людмила Васильевна (UA) Корсунова Софья Петровна (UA) Кудин Александр Михайлович (UA) Митичкин Анатолий Иванович (UA) Иванова Александра Николаевна (UA) Проценко Владимир Григорьевич (UA) Шахова Клавдия Викторовна (UA) Шпилинская Лариса Николаевна (UA) | Патентообладатели: | СП "Амкрис-Эйч, Лтд." (UA) | Номер конвенционной заявки: | 96051870 | Страна приоритета: | UA |
Реферат | |
Использование: производство сцинтилляторов. Получен сцинтилляционный материал на основе иодида цезия, обладающий низким послесвечением и высокой радиационной прочностью, а также разработан технологический способ его получения. Сцинтилляционный материал на основе иодида цезия, активированного таллием, в качестве дополнительной примеси содержит Mex(СО3)y, где Me - катионная примесь, 1 1≅Y<5. Указанный материал в спектре поглощения имеет полосу валентных колебаний связанного катионной примесью СО32- - иона в области 7 мкм, при этом коэффициент поглощения последней составляет 1,4·10-3 - 2·10-2 см-1. Способ получения данного сцинтилляционного материала включает плавление сырья иодида цезия, добавление активирующей примеси иодида таллия и последующую кристаллизацию. Согласно способу в исходное сырье и/или расплав вводят карбонат цезия в количестве 3·10-4 - 5·10-3 мас.% и соль натрия в количестве 3·10-4 7,5·10-3 мас.% Na. Способ позволяет выращивать кристаллы диаметром более 300 мм с высокой однородностью и радиационной прочностью. 2 с. и 1 з.п.ф-лы, 1 табл.
|