Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2138099

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98111850 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/024    
Аналоги изобретения: US 5357056 A, 18.10.94. Каталог фирмы EG and RETICON. March 1992, c.180 - 186. RU 2069919 C1, 27.11.96. FR 2611404 A1, 02.09.88. 

Имя заявителя: Акционерное общество закрытого типа Научно-производственное предприятие "Фотоникс" 
Изобретатели: Золотарев В.И.
Кузнецов Н.С. 
Патентообладатели: Акционерное общество закрытого типа Научно-производственное предприятие "Фотоникс" 

Реферат


Использование: фоточувствительные приборы, предназначенные для обнаружения электромагнитного излучения, в частности охлаждаемые полупроводниковые ИК приемники излучения. Сущность изобретения: в приемнике излучения, содержащем герметично соединенные рамкой охлаждаемое основание и кристалл с фоточувствительной ИС, контактные площадки которой присоединены к столбиковым выводам, соединенным с внешними выводами, столбиковые выводы установлены непосредственно на основание, а рамка выполнена металлической. Между рамкой и основанием размещены тонкопленочные участки диэлектрического материала, а внешние выводы выполнены на основании в виде токопроводящих дорожек в месте пересечения с рамкой, проходящих под участками диэлектрического материала. В другом случае выполнения между рамкой и основанием расположен слой диэлектрического материала, граница которого с металлической рамкой имеет ступенчатый рельеф. Также тонкопленочные участки диэлектрического материала могут быть размещены между рамкой и кристаллом с фоточувствительной ИС, причем они могут быть расположены со смещением относительно диэлектрических участков между рамкой и основанием. Техническим результатом при использовании предлагаемого изобретения является увеличение теплопроводности между кристаллом с фоточувствительной ИС и основанием, уменьшение охлаждаемой массы и времени выхода на рабочий режим прибора и увеличение надежности работы приемника излучения. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"