Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ГОРЯЧИХ БАЛЛИСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЯХ

Номер публикации патента: 2137257

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 96121396 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L031/0376    
Аналоги изобретения: SITES J.R. Curreut Mechanisms end Barrier Height in ITO/Si Heterojunctions, Inst. Phus. Conf. Ser-43, Chap.22, 1979. EP 0053402 A2, 09.06.82. US 5104455 A, 14.04.92. US 4270018 A, 26.05.81. 

Имя заявителя: Малов Юрий Анатольевич 
Изобретатели: Малов Ю.А.
Баранов А.М.
Терешин С.А.
Зарецкий Д.Ф. 
Патентообладатели: Малов Юрий Анатольевич
Баранов Александр Михайлович
Терешин Сергей Анатольевич
Зарецкий Давид Фишерович 
Номер конвенционной заявки: PCT/RU 95/00267 
Страна приоритета: WO 

Реферат


Использование: в средствах для преобразования энергии светового излучения в электрическую. Технический результат - увеличение тока короткого замыкания за счет дополнительной генерации электронно-дырочных пар благодаря созданию условий для ударной ионизации. Сущность: преобразователь содержит электроды 4, 5, контактирующие с ними первый и второй крайние фоточувствительные полупроводниковые слои 1, 3 противоположного типа проводимости и размещенный между ними полупроводниковый промежуточный транспортный элемент 2, с соблюдением соотношений Eg2 < Eg3, Eg1 < Eg3, α2d2 < 0,1, l2 > d2 совместно с одним из соотношений Ec1 - Ec2 ≥ 0, Ev1 - Ev2 ≥ 0, первое из которых используется при выполнении слоя 1 с проводимостью р-типа и слоя 3 - с проводимостью n-типа, а другое - при обратном сочетании названных типов проводимости. В этих соотношениях Eg1, Eg3, Eg2 - ширины запрещенных зон соответственно слоев 1 и 3 и слоя промежуточного элемента 2, Ec1 и Ec2 - энергии электронов на дне зоны проводимости слоя 1 и слоя промежуточного элемента 2 соответственно, Ev1 и Ev2 - энергии дырок у потолка валентной зоны тех же слоев соответственно; α2d2 - соответственно коэффициент поглощения света в материале слоя промежуточного элемента 2 и толщина этого слоя, l2 - длина свободного пробега носителей в нем. 1 с. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"