Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ

Номер публикации патента: 2137249

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98105174 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/203    
Аналоги изобретения: FR 2700065 A1, 1994. WO 96/23229 А1, 1996. EP 0474280 A2, 1992. DE 4004170 А1, 1991. EP 0623824 А1, 1994. EP 0490419 А1, 1991. RU 2006980 А1 1994. 

Имя заявителя: Центр технологий микроэлектроники 
Изобретатели: Лучинин В.В.
Корляков А.В. 
Патентообладатели: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
Центр технологий микроэлектроники 

Реферат


Использование: в технологии изготовления микромеханических приборов, в частности микрогироскопов, микроакселерометров, микродатчиков давления, из кремнийсодержащих полупроводниковых структур. Способ предусматривает изготовление микромеханических приборов из кремнийсодержащей полупроводниковой структуры, предусматривающий нанесение на подложку пленки из проводящего монокристаллического кремнийсодержащего материала, отделенного от подложки слоем диэлектрика, с последующим вытравливанием участков пленки для формирования измерительного узла, удалением слоя диэлектрика для освобождения подвижных элементов измерительного узла и созданием электрических контактов для средств измерения. В качестве исходного материала используют эпитаксиально выращенную полупроводниковую сэндвич-структуру, содержащую пленку из карбида кремния, отделенную от подложки слоем нитрида алюминия. Для установления момента окончания операции травления диэлектрика в пленке полупроводника дополнительно формируют изолированный тестовый участок с линейными размерами из расчета всплывания полупроводниковой пленки тестового участка при травлении расположенного под ним слоя диэлектрика в момент, гарантирующий достижение заданных размеров оставшихся частей изготавливаемого изделия. Технический результат изобретения - повышение механической, температурной и радиационной стойкости микромеханических приборов. 2 з.п.ф-лы, 3 табл., 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"