Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Номер публикации патента: 2134916

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93046416 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G11C029/00    
Аналоги изобретения: US 5056089 A, 08.10.91. US 4937830 A, 26.06.90. US 4706249 A, 10.11.87. US 4878220 A, 31.10.89. Селлерс Ф. Методы обнаружения ошибок в работе ЭЦВМ. - М.: Мир, 1972, с.265 - 268. 

Имя заявителя: Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) 
Изобретатели: Сун-хи Чо (KR)
Хьонг-гон Ли (KR) 
Патентообладатели: Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) 
Приоритетные данные: 30.07.92 
Номер конвенционной заявки: 13685/1992 
Страна приоритета: KR 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству, содержащему схему обнаружения и исправления множественных ошибок. Технический результат изобретения заключается в сокращении потребления энергии в процессе доступа к данным в нормальном режиме. Запоминающее устройство состоит из области памяти, разделенной на множество подобластей памяти. Каждая из подобластей имеет как обычные ячейки памяти, так и ячейки для хранения битов четности. Устройство также включает совокупность групп усилителей считывания. Каждая группа усилителей соединена с соответствующей подобластью памяти. В состав устройства входит совокупность схем обнаружения и корректировки ошибок, каждая из которых служит для исправления синдромных битов в составе данных памяти, а также выходные дешифраторы. Каждый из дешифраторов соединен с выходом соответствующей схемы обнаружения и корректировки ошибок. Когда полупроводниковое запоминающее устройство функционирует в нормальном режиме, активизируется только одна из подобластей памяти. Когда устройство функционирует в постраничном режиме, активизируются сразу все подобласти памяти. 1 з.п.ф-лы, 6 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"