|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| НОСИТЕЛЬ КРИСТАЛЛА ИС |  |
Номер публикации патента: 2134466 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/00 H05K003/00 | | Аналоги изобретения: | Панов Е.Н. Особенности сборки специализированных БИС на базовых матричных кристаллах. - М.: Высшая школа, с.77 и 78. US 4638348 A, 20.01.87. US 5021868 A, 04.06.91. US 5028985 A, 02.07.91. Бер А.Ю. и др. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1986, с.147-150. |
| Имя заявителя: | Таран Александр Иванович | | Изобретатели: | Таран А.И.
Любимов В.К. | | Патентообладатели: | Таран Александр Иванович |
Реферат | |
Изобретение относится к разработке и производству аппаратуры на основе изделий микроэлектроники и полупроводниковых приборов и может быть широко использовано для контроля и отбраковки кристаллов ИС перед их монтажом в корпуса или многокристальные модули, а также для сборки кристаллов в корпусах или в составе многокристальных модулей. Техническим результатом является улучшение контролеспособности бескорпусных кристаллов ИС и обеспечение полноценного тестового контроля кристалла через выводные контакты носителя. Технический результат достигается за счет того, что носитель кристалла ИС содержит основу из диэлектрического материала с системой ориентированных и фиксированных токоведущих дорожек на ее поверхности и контактов, одни из которых предназначены для соединения с ответными контактными площадками кристалла, а другие - для соединения с ответными контактами коммутационной платы, выполненных в виде металлизированных отверстий, верхние края которых связаны с токоведущими дорожками на верхней поверхности основы носителя, а нижние края отверстий, в стыках с ответными контактными площадками кристалла или ответными контактами коммутационной платы, заполненных токопроводящим связующим материалом, образуют контактные узлы, обеспечивающие вместе с токоведущими дорожками электрическую связь контактных площадок кристалла с контактами коммутационной платы. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента