|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| РЕАКТОР ДЛЯ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2133998 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/3065 | | Аналоги изобретения: | US 4948458 A, 14.08.90. WO 93/23874 A1, 25.11.93. US 5122251 A, 16.06.92. H. Kimura et al. Highly selective contact hole etching using ECR plasma. Jpr. J. Appl. Phys. V.34(1995), p.2114-2118. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. - М.: Энергоиздат, 1987, с.136. |
| Имя заявителя: | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники | | Изобретатели: | Голишников А.А.
Зарянкин Н.М.
Путря М.Г.
Сауров А.Н. | | Патентообладатели: | Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур содержит камеру с системой подвода и отвода газа, подложкодержатель, установленный в основании камеры с возможностью подачи на него потенциала смещения, и систему генерации плазмы, состоящую из спирального индуктора, расположенного над диэлектрическим экраном, и системы согласования для соединения спирального индуктора с ВЧ-генератором. Система согласования содержит трансформатор с ферритовым сердечником, индуктивность и емкость, причем емкость соединена параллельно со спиральным индуктором, а для подачи потенциала смещения на подложкодержатель использована цепочка из дополнительных индуктивности и емкости, подсоединенная к системе согласования. Кроме того, спиральный индуктор может быть выполнен в виде двух плоских секций, основной и дополнительной, причем дополнительная секция расположена над основной, имеет меньший внешний диаметр и включена навстречу основной. Спиральный индуктор может быть выполнен в виде двух плоских секций, основной и дополнительной, причем дополнительная секция расположена над основной и имеет внешний диаметр, равный внешнему диаметру основной секции, и включена последовательно с основной. Центральные витки спирального индуктора могут быть расположены на большем расстоянии от диэлектрического экрана, чем периферийные. Цепочка из дополнительных индуктивности и емкости может быть подсоединена к системе согласования к одному из концов спирального индуктора или к первичной обмотке трансформатора. Техническим результатом изобретения является улучшение согласования генератора, импеданса реактора и системы подачи смещения на подложку, повышение однородности горения разряда, снижение вероятности возникновения паразитных разрядов в области подложки при подаче на нее смещения, обеспечение более точного регулирования величины подаваемого на подложку смещения. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента