Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ОСНОВЫ ДЛЯ УВАРИВАНИЯ УТФЕЛЯ САХАРНОГО ПРОИЗВОДСТВА

Номер публикации патента: 2133276

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98106527 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C13F001/02    
Аналоги изобретения: SU 1017736 A, 15.05.83. SU 1701750 A, 30.12.91. SU 1664877 A1, 23.07.91. 

Имя заявителя: Кубанский государственный технологический университет 
Изобретатели: Даишев М.И.
Решетова Р.С.
Даишева Н.М.
Рыженко Т.Е. 
Патентообладатели: Кубанский государственный технологический университет 

Реферат


Изобретение относится к способу получения кристаллической основы для уваривания утфеля сахарного производства. Способ предусматривает первоначальный набор сиропа с выпарки в вакуум-аппарат до достижения его объема, равного 40 - 70% от полезного объема аппарата, и сгущение сиропа до достижения коэффициента пересыщения 1,35 - 1,40. Заводку кристаллов проводят при выдерживании сгущенного сиропа в вакуум-аппарате в течение 10 - 20 минут при температуре и разрежении, которые соответствуют температуре и разрежению в процессе его сгущения путем их самопроизвольного образования. Затем кристаллы наращивают. Заданные размеры кристаллов при наращивании достигают путем определения количества сиропа, набираемого в вакуум-аппарат перед его сгущением. Готовую основу выгружают из вакуум-аппарата. Способ обеспечивает возможность регулирования размеров кристаллов в основе, обеспечение их однородности и улучшение качества основы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"