

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Номер публикации патента: 2131951

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	97110470/25

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	C30B029/62 C30B029/16 C30B030/00
Аналоги изобретения:	Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. -М.: Наука, 1977, с.260, 262. EP 0325797 A1, 02.08.89. EP 0378995 A1, 25.07.90. EP 0542291 A1, 19.05.93. WO 90/070022 A1, 28.06.90. JP 02167900 A, 28.06.90.

Имя заявителя:	Институт физики Дагестанского научного центра РАН
Изобретатели:	Атаев Б.М. Камилов И.К. Мамедов В.В.
Патентообладатели:	Институт физики Дагестанского научного центра РАН

Реферат

Изобретение может быть использовано в полупроводниковом материаловедении. Сущность изобретения: рост нитевидных кристаллов оксида цинка осуществляют на воздухе с использованием излучения CO2- лазера непрерывного действия. Изобретение позволяет получать нитевидные кристаллы без затравок и кристаллизационных камер.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"