Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАСТЕНИЙ ОГУРЦА

Номер публикации патента: 2131179

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93047212/13 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: A01G007/00   A01G009/00   A01G009/24   A01G009/26    
Аналоги изобретения: Леман В.М. Курс светокультуры растений. - М.: Высшая школа, 1976, с.179-187, 190-193. Клапвайк Д. Климат теплиц и управление ростом растений. - М.: Колос, 1976, с.37-57. Прищеп Л.Г. Эффективная электрификация защищенного грунта. - М.: Колос, 1980, с.25-28, 129-132. SU 1785415 A3, 30.12.92. Леман В.М. Курс светокультуры растений. - М.: Высшая школа, 1961, с.138-140, 143-146, 153-155. Гэлстон А. и др. Жизнь зеленого растения. - М.: Мир, 1983, с.331-390. Леман В.М. Культура растений при электрическом свете. - М.: Колос, 1971, с.199-229. Бентли А. Промышленная гидропоника. - М.: Колос, 1965, с.120-124. Жилинский Ю.М., Кумин В.Д. Электрическое освещение и облучение. - М.: Колос, 1982, с.174-187. 

Имя заявителя: Малое предприятие "Патент" Государственного научно-исследовательского и проектного института "Гипронисельпром" 
Изобретатели: Шарупич В.П. 
Патентообладатели: Малое предприятие "Патент" Государственного научно-исследовательского и проектного института "Гипронисельпром" 

Реферат


Изобретение относится к выращиванию растений при искусственном освещении. В течение первых 18 - 22 суток после выращивания рассады огурца производят ее облучение с интенсивностью, равной 25 - 30% от максимальной. Следующие 14 - 16 суток характеризуются максимальными значениями интенсивности. Последние 28 - 32 суток интенсивность облучения постепенно снижают до 28 - 30% от максимальной.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"