|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2127005 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01G004/33 H01L027/00 | | Аналоги изобретения: | 1. IEDM 91 "Стековый конденсатор с (Ba<SB>x</SB>, Sr<SB>1-x</SB>) TiO<SB>3</SB> для 256М динамический ОЗУ". 2. SU 890459 A, 15.12.91. 3. US 5189593 A, 23.02.93. 4. JP 4-72371, 18.11.92. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Ки-вон Квон (KR)
Чанг-сеок Канг (KR) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Номер конвенционной заявки: | 93-963 | | Страна приоритета: | FR |
Реферат | |
В полупроводниковом приборе, имеющем ферросэлектрический конденсатор, полученный способом, изложенным в изобретении, прокладка, состоящая из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, сформирована на поверхностях сторон множества нижних электродов, выделенных в каждый ячеечный блок, и ферроэлектрическая пленка сформирована на нижних электродах, на которых сформирована прокладка из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, и верхний электрод, сформированный на ферроэлектрической пленке, благодаря чему предотвращается пробой, который может быть вызван между соседними нижними электродами. 3 с. и 3 з.п.ф-лы, 10 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента