|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ СПОСОБ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ЗАРЯЖЕННЫХ ПРИМЕСЕЙ |  |
Номер публикации патента: 2126454 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C22B009/00 | | Аналоги изобретения: | Брук В.А. и др. Производство полупроводниковых приборов.-М.: Профтехиздат, 1963, с.47. SU 139844 A, 05.08.61. SU 177620 A, 18.12.65. US 3762912 A, 02.10.73. FR 2512066 A, 04.03.83. |
| Имя заявителя: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН | | Изобретатели: | Гаджиалиев М.М. | | Патентообладатели: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН |
Реферат | |
Способ может быть использован для получения чистых металлов и полупроводников и для очищения предварительно зонно - очищенного материала от заряженных примесей. В основу способа положен гальваномагнитный эффект, заключающийся в том, что заряженные примесные атомы, перемещающиеся в постоянном электрическом поле в противоположные стороны в зависимости от их знака, в поперечном магнитном поле при закороченном холловском поле отклоняются к одной и той же стороне в направлении, перпендикулярном магнитному полю и электрическому току. Последующее равномерное охлаждение жидкой фазы до полной кристаллизации при включенном токе и магнитном поле замораживает заряженные примеси у одного из торцов слитка. Многократное применение данного способа к одному и тому же материалу, когда каждый раз берут для повторного очищения более чистую половину слитка, дает возможность полного очищения материала от заряженных примесей. Способ можно применить и в случае, когда необходимо избирательно очищать материал именно от заряженных примесей, получается материал высокой чистоты, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента