Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА

Номер публикации патента: 2126064

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 97115565 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B029/34   C30B015/00   C01G015/00    
Аналоги изобретения: Сахаров С.А., и др. Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях сдвига. - Зарубежная электроника, М., 1986, с.12 - 13. RU 2052546 C1, 1996. SU 1506951 A1, 1992. SU 1228526 A1, 1993. Shimamura et al. "Growth and characterization of lanthanum gallium silicate La<SB>3</SB>Ga<SB>5</SB>SiO<SB>14</SB> single crystal for pieroelectric applications", J. of Grystal. Growth", 1996, v.163, p.388 - 392. Стасевич В.Н. Технология монокристаллов. - М.: Радио и связь, 1990, с.264 - 265. 

Имя заявителя: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед (GB) 
Изобретатели: Бузанов О.А.(RU)
Аленков В.В.(RU)
Гриценко А.Б.(RU) 
Патентообладатели: Рафида Девелопментс Инкорпорейтед (GB) 

Реферат


Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Сущность способа состоит в выборе ориентации затравочного кристалла, обеспечивающей выращивание методом Чохральского монокристаллов лангангаллиевого силиката вдоль направления <01.1>. Эта ориентация позволяет вырезать пластины под углом 90° от оси роста, обеспечивая минимальные потери материала и близкий к нулю температурный коэффициент частоты.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"