Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЗВЕЗДЧАТЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ ПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ

Номер публикации патента: 2124077

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98112247 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B011/10    
Аналоги изобретения: DE 1002300 A, 1957. RU 2049832 C1, 1995. SU 1820925 A3, 1993. SU 28905 A, 1924. SU 48277 A, 1936. SU 324781 A, 1985. SU 248637 A, 1985. SU 650274 A, 1979. SU 1147774 A, 1985. EP 0098724 A1, 1984. US 3367748 A, 1968. US 3778234 A, 1973. 

Имя заявителя: Герасимов Валерий Петрович 
Изобретатели: Герасимов В.П.
Гусейнов Фахраддин Халыгверди оглы
Левин Д.М. 
Патентообладатели: Герасимов Валерий Петрович
Гусейнов Фахраддин Халыгверди оглы
Левин Даниил Михайлов 

Реферат


Использование: изобретение относится к области производства кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма по методу Вернейля. Изобретение обеспечивает повышение оптических качеств кристалла: прозрачность, насыщенность цветовой окраски, повышение эффекта астеризма. Процесс выращивания кристаллов включает подачу шихты, состоящей из оксида алюминия, диоксида титана и окрашивающей добавки, а камеру кристаллизации через центральный канал двухканальной сопловой горелки с коаксиальным расположением каналов, подачу водорода и кислорода, плавление шихты в зоне фронта кристаллизации и роста затравочного кристалла и последующий отжиг полученного кристалла. При этом через периферийный канал горелки подают гремучую смесь водорода и кислорода при процентном их содержании, равном 100 : 50, а по центральному каналу дополнительно под избыточным давлением по отношению к гремучей смеси подают кислород с обеспечением окислительной атмосферы в зоне плавления шихты. Общее соотношение водорода и кислорода равно от 100:51 до 100:60. Причем шихта содержит диоксид титана в расчете на оксид алюминия в количестве равном: ТiО2 = 0,4-1,0 мас.%. Выращивание монокристалла осуществляют при температуре 2030 - 2100oC с перепадом температуры между фронтом кристаллизации и внутренней стенкой камеры кристаллизации, не превышающем 100oC, а скорость роста кристалла задают из диапазона 0,7 - 2,0 мм/ч, с об- ратной зависимостью от концентрации диоксида титана. 2 з.п. ф-лы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"