|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ РЕАКЦИИ ТЕРМОЯДЕРНОГО СИНТЕЗА |  |
Номер публикации патента: 2123731 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G21B001/00 | | Аналоги изобретения: | Мохов В.Н. и др. О возможности решения проблемы управляемого термоядерного синтеза на основе магнитогазодинамической кумуляции энергии. ДАН СССР.- М.: Наука, 1979, т.247, N 1, с. 83-85. SU 786617 A, 1985. SU 1464303 A1, 1989. SU 1616386 A1, 1995. DE 3230712 A1, 1983. US 4217171 A, 1980. |
| Имя заявителя: | Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики | | Изобретатели: | Дубинов А.Е.
Макаров И.В.
Селемир В.Д. | | Патентообладатели: | Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Министерство Российской Федерации по атомной энерги |
Реферат | |
Изобретение относится к области ядерной физики и технике высоких плотностей энергии и может быть использовано для осуществления реакции термоядерного синтеза, генерации термоядерных нейтронов, α-частиц и γ-квантов. Способ осуществления реакции термоядерного синтеза заключается в обжатии сферической проводящей оболочки с термоядерным горючим в виде газа давлением импульсного магнитного поля. Перед обжатием оболочке дополнительно придают вращение и подают ее в зону обжатия магнитным полем так, чтобы ось вращения оболочки была параллельна вектору напряженности магнитного поля. При осуществлении способа повышается эффективность термоядерной реакции и выход нейтронов за счет увеличения плотности и температуры термоядерной плазмы при увеличении отбора энергии от импульсного магнитного поля, симметрии обжатия оболочки, стабилизации магнитогидродинамических неустойчивостей типа Рэлея-Тейлора и генерации внутри оболочки сверхсильного магнитного поля с индукцией ≈ 100 МГс. 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента