|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КРЕМНИЕВЫХ ПЛОЩАДОК НА КВАРЦЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2121733 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | 1. EP 0510368 A1, 28.10.92. 2. EP 0504714 A2, 23.09.92. 3. EP 0413547 A2, 20.02.91. 4. US 5258323 A, 02.11.93. 5. US 5028558 A, 02.07.91. 6. RU 2002340 C1, 30.10.93. |
| Имя заявителя: | Ханивелл Инк. (US) | | Изобретатели: | Каллури Р.Сарма (US)
Чарльз С.Ченли (US) | | Патентообладатели: | Ханивелл Инк. (US) | | Номер конвенционной заявки: | 07/998,968 | | Страна приоритета: | US |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология активных матричных дисплеев с высоким разрешением, в частности, при производстве монокристаллических кремниевых тонкопленочных транзисторов. Сущность изобретения: способ включает осаждение слоя (30), тормозящего травление, на монокристаллической кремниевой подложке (18), размещение монокристаллического кремниевого слоя (32) на слое (30), прикрепление кварцевой подложки (20) к монокристаллическому кремниевому слою (32) при комнатной температуре, закрепление и герметизацию клеем краев монокристаллической кремниевой подложки (18), слоя (30), тормозящего травление, монокристаллического кремниевого слоя (32) и кварцевой подложки (20), сошлифование части кремниевой подложки (18) и части клея (22), вытравливание оставшейся части кремниевой подложки (18), удаление оставшейся части клея (22), вытравливание слоя (30), тормозящего травление, нанесение маски из фоторезиста на монокристаллический кремниевый слой (32) для определения площадок на монокристаллическом кремниевом слое (32), протравливание монокристаллических кремниевых площадок и диффузное связывание монокристаллических кремниевых площадок с кварцевой подложкой (20). Техническим результатом изобретения является повышение надежности низкотемпературного адгезионного соединения и соответственно улучшение характеристик приборов. 4 с. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента