|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ДИАГНОСТИКИ ОСЛОЖНЕНИЙ ХИМИОЛУЧЕВОЙ ТЕРАПИИ У ОНКОЛОГИЧЕСКИХ БОЛЬНЫХ |  |
Номер публикации патента: 2121680 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N033/50 | | Аналоги изобретения: | 1. Владимиров Ю.А. и др. Перекисное окисление липидов в биологических мембранах. - М.: Наука, 1972, с.252. 2. Сидорин Е.П. и др. Биохемилюминисценция клеток при опухолевом росте. - Киев: Наукова думка, 1989, с.220. 3. Даренская Н.Г. и др. Общность реакции организма на воздействие различных факторов и ионизирующего излучения как основа для прогнозирования радиочувствительности организма. В кн.: Радиация и организм. - Обнинск, 1984, с.28. 4. RU 2031408 C1, 20.03.95. 5. RU 2057341 C1, 27.03.96. |
| Имя заявителя: | Нижегородская государственная медицинская академия | | Изобретатели: | Легеза В.И.
Конторщикова К.Н.
Артеменко А.Г.
Андрюхин В.И. | | Патентообладатели: | Нижегородская государственная медицинская академия
Артеменко Андрей Григорьевич
Конторщикова Клавдия Николаев |
Реферат | |
Исследуют образец плазмы крови онкологического больного на интенсивность процессов перекисного окисления липидов. Определяют количество общих липидов, диеновых и триеновых конъюгатов, малонового диальдегида и оснований Шиффа. При повышении уровня диеновых и триеновых конъюгатов, малонового диальдегида и оснований Шиффа и снижении уровня общих липидов, а также отношение оснований Шиффа к диеновым конъюгатам по сравнению с нормой для онкологических больных диагностируют осложнение химиолучевой терапии. Способ позволяет достаточно точно диагностировать развитие осложнений химиолучевой терапии при использовании серийного оборудования одновременно у большого количества онкологических больных, может быть также использован и для оценки лечебной коррекции осложнений химиолучевой терапии. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента